کابل ابررسان پوشش داده شده با ابررسان های ایندیوم 20Khz دستگاه فوق صوتی پوشش داده شده

دستگاه پوشش‌دهی اولتراسونیک 20 کیلوهرتز برای کابل‌های ابررسانا با پوشش ایندیوم

توضیحات:

دستگاه پوشش‌دهی ایندیوم سیم با استفاده از فناوری ارتعاشات اولتراسونیک، ماده ایندیوم را روی سطح سیم پوشش می‌دهد. این دستگاه عمدتاً برای آماده‌سازی پوشش‌ها برای مواد سیم‌های ابررسانا به منظور بهبود عملکرد ابررسانایی آن‌ها استفاده می‌شود.

مواد ابررسانا به موادی اطلاق می‌شود که در دماهای پایین مقاومت الکتریکی صفر و رسانایی بسیار بالایی دارند. با این حال، برای دستیابی به ابررسانایی، اغلب لازم است یک لایه از ماده ایندیوم روی سطح ابررساناها پوشانده شود.

پارامترها: 

اصل کار دستگاه پوشش‌دهی ایندیوم سیم اولتراسونیک به شرح زیر است:

1. آماده‌سازی محلول پوشش: ابتدا، لازم است یک محلول پوشش حاوی ماده ایندیوم تهیه شود. محلول پوشش معمولاً از پودر ایندیوم یا ترکیبات ایندیوم مخلوط با حلال‌ها تشکیل شده است و ویسکوزیته و غلظت آن را می‌توان در صورت نیاز تنظیم کرد.

2. نصب ابررساناها: ابررساناهایی که نیاز به پوشش دارند را در دستگاه گیره دستگاه پوشش‌دهی ایندیوم ابررسانای اولتراسونیک نصب کنید. دستگاه‌های گیره معمولاً دارای نیروی گیره قابل تنظیم و توانایی سازگاری با قطرهای مختلف هستند.

3. ارتعاشات اولتراسونیک: پوشش ایندیوم روی ابررساناهای اولتراسونیک، ارتعاشات اولتراسونیک با فرکانس بالا ایجاد می‌کند. این ارتعاشات از طریق دستگاه‌های پوشش‌دهی مانند نازل‌ها یا تفنگ‌های اسپری به مایع پوشش منتقل می‌شوند.

4. فرآیند پوشش‌دهی: هنگامی که ارتعاشات اولتراسونیک بر روی مایع پوشش عمل می‌کند، باعث ایجاد گرداب‌ها و ارتعاشات کوچک در مایع می‌شود. این جریان‌های گردابی و ارتعاشات به پراکندگی یکنواخت ماده ایندیوم در محلول پوشش کمک کرده و توزیع یکنواخت آن را در طول فرآیند پوشش‌دهی تسهیل می‌کنند.

5. اثر پوشش‌دهی: ماده ایندیوم موجود در محلول پوشش، تحت تأثیر ارتعاشات اولتراسونیک، از طریق دستگاه پوشش‌دهی روی سطح ابررسانا اسپری یا پاشیده می‌شود. به دلیل اثر جریان گردابی و ارتعاشات کوچک اولتراسوند، قطرات ایندیوم موجود در محلول پوشش به طور یکنواخت توزیع شده و به سطح ابررسانا متصل می‌شوند و یک پوشش یکنواخت را تشکیل می‌دهند.

دستگاه پوشش‌دهی اولتراسونیک 20 کیلوهرتز برای کابل‌های ابررسانا با پوشش ایندیوم